光センサ集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-094481
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296485
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】任意の電源と接続する電荷吸収部を備え、誤動作が起こり難く、小型化された光センサICを提供する。【解決手段】演算処理回路部2の側面に電荷吸収部6であるp型半導体領域25を形成し、n型半導体基板100とp型半導体領域25のpn接合部を逆バイアスすることで、スクライブライン5から入射する光27で発生する電荷28をと熱で発生する電荷29を吸収して、演算処理回路部2に到達しないようにする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面層に、光電変換する受光部と、該受光部以外の半導体基板を遮光する遮光部と、前記受光部の信号を処理し、前記遮光部下に選択的に形成される演算処理回路部とを具備する光センサ集積回路において、半導体基板の外周部の表面層に、第2導電型の半導体領域を形成し、該半導体領域と前記半導体基板とで形成されるpn接合を、逆バイアスすることを特徴とする光センサ集積回路。

IPC (4件)：

G02B 7/28 , G03B 13/36 , H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (5件)：

G02B 7/11 N , G02B 7/11 Z , G03B 3/00 A , H01L 27/14 Z , H01L 31/10 G

Fターム (25件)：

2H011BB02 , 2H011BB04 , 2H051CB17 , 2H051CB20 , 2H051CB24 , 2H051CB25 , 2H051CD07 , 4M118AA10 , 4M118AB03 , 4M118BA02 , 4M118CA02 , 4M118CA40 , 4M118FC06 , 4M118GB11 , 4M118GB18 , 5F049MA01 , 5F049NA04 , 5F049NA19 , 5F049NB10 , 5F049RA02 , 5F049RA08 , 5F049RA10 , 5F049SZ10 , 5F049UA11 , 5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平2-100362

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