特許

J-GLOBAL ID：200903066219433162

酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法

発明者： 町野 毅 ,  杉原 忠
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002124
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の透明電極、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられるインジウム-錫酸化物透明導電膜を作製するためのスパッタリング用ターゲットの製造法に関する。【構成】 Snが固溶した酸化インジウム粉末、または酸化インジウム粉末および酸化錫粉末からなる混合粉末を、650〜1100°Cで真空熱処理したのちCIP成形し、ついで1200〜1700°Cで大気中焼結するITOスパッタリングターゲットの製造法。

請求項（抜粋）：

Snが固溶した酸化インジウム粉末を、真空中、温度:650〜1100°Cで熱処理したのち解砕し、得られた解砕粉末を冷間静水圧プレス成形し、ついで温度:1200〜1700°Cで大気中焼結することを特徴とする酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法。