特許

J-GLOBAL ID：200903066219540406

半導体装置における絶縁膜層およびその形成方法

発明者： 服部 司 ,  松本 晋
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347654
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189568
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置における導電膜からなる配線層間の寄生キャパシタンスの容量を小さくし、半導体装置の動作スピードの低下を防ぐ。【解決手段】 第1の導電膜からなる配線層6上に、結晶粒子7と空洞8を有する層間絶縁膜層9を堆積し、この層間絶縁膜層9上に絶縁膜10と第2の導電膜からなる配線層11を堆積している。

請求項（抜粋）：

導電膜からなる配線層と、前記配線層上に粒子によって形成される空洞を膜中に有する絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に積層した絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置における絶縁膜層。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/90 V