特許

J-GLOBAL ID：200903066221321835

ルテニウム-ホスフィン錯体及びその製造方法

発明者： 佐用 昇 ,  齊籐 隆夫 ,  横澤 亨
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092174
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269185
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高い不斉収率を得る触媒として有用な新規ルテニウム-ホスフィン錯体、並びに精製を必要としない当該錯体の製造方法の提供。【解決手段】 一般式(1)、[{RuX(L)}2(μ-X)3 ]- [R22NH2]+ (1)(R2 は、水素、炭素数1〜5のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基、Lは、一般式(2)、(R1 は置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基。)で表されるジホスフィン配位子、Xはハロゲン原子。)で表されるルテニウム-ホスフィン錯体、並びに、原料として、[RuX(arene)(L)]X (X,arene ,L及びR1 は上記と同じ。)で表されるルテニウム錯体と、R22NH・HX (X及びR2 は上記と同じ。)で表されるアンモニウム塩とを用いて反応させる上記一般式(1)で表されるルテニウム-ホスフィン錯体の調製方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)、〔{RuX(L)}2(μ-X)3〕- 〔R22NH2〕+ (1)(式中、R2 は、水素、炭素数1〜5のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基を表し、Lは、一般式(2)、【化1】(式中、R1 は置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル基を表すか、シクロヘキシル基、シクロペンチル基を表す。)で表されるジホスフィン配位子であり、Xはハロゲン原子を意味する。)で表されるルテニウム-ホスフィン錯体。

IPC (7件)：

C07F 15/00 ,  B01J 31/24 ,  C07C 29/136 ,  C07C 31/20 ,  C07C 67/333 ,  C07C 69/716 ,  C07B 61/00 300

FI (7件)：

C07F 15/00 A ,  B01J 31/24 Z ,  C07C 29/136 ,  C07C 31/20 Z ,  C07C 67/333 ,  C07C 69/716 Z ,  C07B 61/00 300