特許

J-GLOBAL ID：200903066221522164

複合型磁気ヘツド

発明者： 陶山 英夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062131
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】 基板2上に磁気記録媒体との対接面1に臨んで再生用磁気ギャップg1 を構成するMRヘッドと記録用磁気ギャップg2 を構成するインダクティブヘッドが積層されてなる2ギャップタイプの複合型磁気ヘッドにおいて、インダクティブヘッドのヘッド巻線16とMRヘッドのバイアス導体5を電気的に接続するとともに、インダクティブヘッドとMRヘッドの共通磁性体である第2の薄膜磁気コア10を非磁性層13によって2分する。【効果】 共通化した薄膜磁気コアからのMR感磁部への漏洩磁界を低減することができ、再生出力を一定なものにできる。

請求項（抜粋）：

第1の薄膜磁気コアと第2の薄膜磁気コア間に磁気抵抗効果感磁部が配され、磁気記録媒体との対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、上記第2の薄膜磁気コアとによって閉磁路を構成する第3の薄膜磁気コアがこの第2の薄膜磁気コア上に積層され、これら薄膜磁気コアの前方端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録用磁気ギャップを構成する誘導型磁気ヘッドとが同一基板上に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、上記誘導型磁気ヘッドのヘッド巻線と磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス導体が電気的に接続されるとともに、第2の薄膜磁気コアが非磁性層を挾んで少なくとも2層とされていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。