特許

J-GLOBAL ID：200903066223698103

多層配線基板及びその製造方法

発明者： 中川路 藤人
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197114
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017861
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】低膨張性を有し、高湿雰囲気下でも静電容量の変化が小さく、安定性に優れた多層配線基板を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂として架橋剤を含む熱硬化型ポリフェニレンエーテル10〜95重量%と、シリカおよび/またはガラス5〜90重量%とからなる低誘電率層1a、1c、1dと、架橋剤を含む熱硬化型ポリフェニレンエーテル10〜95重量%と、チタン酸ストロンチウム5〜90重量%とからなる高誘電率層1bとを積層してなる絶縁基板1と、絶縁基板1の表面および/または内部に配設された配線回路層2と、低誘電率層1a、1c、1dおよび/または高誘電率層1bを貫通して配設されたビアホール導体3とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

熱硬化性樹脂として架橋剤を含む熱硬化型ポリフェニレンエーテル10〜95重量%と、シリカおよび/またはガラス5〜90重量%とからなる低誘電率層と、架橋剤を含む熱硬化型ポリフェニレンエーテル10〜95重量%と、チタン酸ストロンチウム5〜90重量%とからなる高誘電率層とを積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および/または内部に配設された配線回路層と、前記低誘電率層および/または高誘電率層を貫通して配設されたビアホール導体とを具備することを特徴とする多層配線基板。

IPC (5件)：

H05K 3/46 ,  B32B 27/00 103 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/03 ,  H05K 1/03 630

FI (8件)：

H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  B32B 27/00 103 ,  H05K 1/03 610 H ,  H05K 1/03 610 R ,  H05K 1/03 630 D

Fターム (39件)：

4F100AA20A ,  4F100AA21B ,  4F100AG00A ,  4F100AK54A ,  4F100AK54B ,  4F100AR00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100CA02A ,  4F100CA02B ,  4F100GB41 ,  4F100JB13A ,  4F100JB13B ,  4F100JG01A ,  4F100JG01C ,  4F100JG05 ,  4F100JG05B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA23 ,  5E346AA33 ,  5E346AA36 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB20 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC16 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346FF45 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11