特許
J-GLOBAL ID：200903066226098450
GaN系半導体発光素子およびそれを用いた発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390817
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197969
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 白色光のみならず任意の有色光を発する発光装置の構成に有用なGaN系発光素子を提供し、かつ、該GaN系発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置を提供することにある。【解決手段】 GaN系結晶層からなる積層構造Sを有し、該積層構造Sに発光部Eが含まれた素子構造を有するGaN系発光素子に、副発光部Fを付与する。該副発光部Fは、発光部Eから発せられた主発光L1で励起されてフォトルミネッセンス光L2を発する層である。この発光素子と蛍光体とを組み合わせて、発光装置を構成し、フォトルミネッセンス光L2を出力光に含める。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶層からなる積層構造を有し、該積層構造に、p型層とn型層とを有して構成される発光部が含まれた素子構造を有するGaN系半導体発光素子であって、発光部から発せられた主発光で励起されてフォトルミネッセンス光を発するGaN系結晶からなる副発光部を、該積層構造内の結晶層としてまたは該積層構造外に付帯する部分として備えていることを特徴とする、GaN系半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 F
, H01L 33/00 C
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA67
, 5F041DA12
, 5F041DA46
, 5F041EE25
