特許
J-GLOBAL ID：200903066226923515
半導体素子冷却機構
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉原 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017926
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の発熱を有効に利用し、かつ稼動コストを減少させる。【構成】 半導体素子1を電気式冷却手段4により冷却する半導体素子冷却機構において、熱発電素子2を用いて、半導体素子1の発熱から熱起電力を得、その熱起電力により前記電気式冷却手段4を稼動させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を電気式冷却手段により冷却する半導体素子冷却機構において、熱発電素子を用いて、半導体素子の発熱から熱起電力を得、その熱起電力により前記電気式冷却手段を稼動させることを特徴とする半導体素子冷却機構。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/46 C
, H01L 23/38
