特許
J-GLOBAL ID:200903066228747609
積層型セラミック電子部品およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-343593
公開番号(公開出願番号):特開2004-179375
出願日: 2002年11月27日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】静電容量を大きくすることなく、バリスタ電圧を小さくすることのできる積層型セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック材料からなる基材部1内に、第1の内部電極2と第2の内部電極3とを所定の間隔を隔てて対向して配設し、第1の内部電極2および第2の内部電極3にそれぞれ電気的に接続される第1および第2の外部電極6,7を設けた積層型セラミック電子部品であって、対向する第1および第2の内部電極2,3に、導電材料からなる第1および第2の突起導体4,5を設け、基体部1の全体または、第1および第2の内部電極2,3間における少なくとも第1および第2の突起導体4,5近傍はバリスタセラミック材料とした積層型セラミック電子部品。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック材料からなる基材部内に、少なくとも第1の内部電極と第2の内部電極とを所定の間隔を隔てて対向して配設し、前記第1の内部電極および第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続される第1および第2の外部電極を設けた積層型セラミック電子部品であって、
前記対向する第1および第2の内部電極の少なくとも一方に、他方に対して突出する導電材料からなる突起状電極を設け、前記第1および第2の内部電極間における少なくとも前記突起状電極形成部近傍はバリスタセラミック材料からなるバリスタ部としたことを特徴とする積層型セラミック電子部品。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5E034CA08
, 5E034CB01
, 5E034CC02
, 5E034DA07
, 5E034DB15
, 5E034DC01
, 5E034DE01
, 5E034DE07
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