特許
J-GLOBAL ID：200903066235081241
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115448
公開番号（公開出願番号）：特開平9-284122
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成と低消費電力化とを実現したCMOS回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 第1の動作電圧がソース側に供給された第1導電型のMOSFET及び第2の動作電圧がソース側に供給された第2導電型のMOSFETを備えてなる第1のCMOS回路の出力信号を第1導電型の伝送ゲートMOSFETを介して第2のCMOS回路の入力に伝えるとともに、かかる第2のCMOS回路を構成する第2導電型のMOSFETのソース側には上記第2の動作電圧をMOSFETのしきい値電圧相当だけレベルシフトさせた動作電圧を供給する。
請求項（抜粋）：
第1の動作電圧がソース側に供給された第1導電型のMOSFET及び第2の動作電圧がソース側に供給された第2導電型のMOSFETを備えてなる第1のCMOS回路と、かかる第1のCMOS回路の出力信号を伝える第1導電型の伝送ゲートMOSFETと、かかる伝送ゲートMOSFETを通した入力信号がその入力端子に供給されてなる第2のCMOS回路と、かかるCMOS回路を構成する第2導電型のMOSFETのソース側に与えられるべき上記第2の動作電圧を、MOSFETのしきい値電圧相当だけレベルシフトさせるレベルシフト手段とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (8件)：
H03K 19/0175
, G11C 11/413
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H03K 17/16
, H03K 17/687
, H03K 19/0185
, H03K 19/0948
H03K 19/00 101 F
, H03K 17/16 J
, G11C 11/34 335 A
, H01L 27/08 321 L
, H03K 17/687 F
, H03K 19/00 101 D
, H03K 19/094 B
