特許
J-GLOBAL ID：200903066236893460
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208993
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】平坦な層間絶縁膜を形成することにより、微細な多層配線を形成し、歩留り・信頼性を向上させる。【構成】配線6表面を弗素化合物ガスを用いる反応性イオンエッチングにより処理することによって、スピンオングラス膜10を配線間に選択的に塗布する。次に、フルオロアルコキシシランの蒸気に曝露せしめることによってスピンオングラス膜10の縮重合反応を促進し、緻密化を行う。スピンオングラス膜10を選択的に形成した後、プラズマCVDによってシリコン酸化膜11を形成し、完全平坦な層間絶縁膜を形成する。前記の層間絶縁膜の平坦化法を用いることにより、容易に微細多層配線構造体が形成できる。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜の表面に第1の配線層を形成する工程、前記第1の配線層の上面を異方性エッチングにより処理する工程、前記第1の絶縁膜の表面にスピンオングラス膜を形成する工程及び前記スピンオングラス膜をフルオロアルコキシシランの蒸気に曝露する工程を経た後で、前記第1の配線層と前記スピンオングラス膜とを覆う第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の表面に第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, H01L 21/302
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H01L 21/90
