特許

J-GLOBAL ID：200903066239539587

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 河村 真一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051211
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 燐含有シリコン酸化膜の吸着水分の影響をなくすこと、およびXeClエキシマレーザ光により半導体活性層をアニールすることを目的とする。【構成】 基板1 上に半導体活性層4 、燐含有シリコン酸化膜5 を積層形成し、基板側から半導体活性層の一部にエキシマレーザ光20を照射してアニールすることにより結晶化させるとともに、シリコン酸化膜から不純物を熱拡散させてオーミックコンタクト部7 を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニールする前に基板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガス雰囲気中にて加熱し、その後大気にさらすことなく同じ雰囲気中にてエキシマレーザ光を照射するようにした。またエキシマレーザ光をXeClエキシマレーザ光とし、基板をそのレーザ光に対して70%以上の透過率を有するガラス基板とした。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンからなる半導体活性層を形成し、この半導体活性層上に不純物として燐を含有するシリコン酸化膜を積層形成したのち、上記基板側から上記半導体活性層の一部にエキシマレーザ光を照射してアニールすることにより上記半導体活性層のレーザ光照射部を結晶化させるとともに、このレーザ光照射部に上記シリコン酸化膜から不純物を熱拡散させてオーミックコンタクト部を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記半導体活性層をアニールする前に上記シリコン酸化膜の積層形成された基板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガスの雰囲気中にて加熱し、その後この基板を大気にさらすことなく真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガスの雰囲気中にて上記エキシマレーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/225

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 L