特許
J-GLOBAL ID:200903066253389970

透明導電膜とその製造方法およびそれに用いるターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-355858
公開番号(公開出願番号):特開平6-128743
出願日: 1992年12月18日
公開日(公表日): 1994年05月10日
要約:
【要約】【目的】 プラズマ耐性に優れ、表面に何らかの機能薄膜がプラズマCVD法などで成膜されたとしても、材質の劣化がほとんどなく、透明性に優れ、低抵抗で、経済性に優れた透明導電膜およびその製造方法とそれに用いるターゲットを提供すること。【構成】 酸化亜鉛系の透明導電膜(4,12)であり、Alが0.4〜4.5原子%含まれ、かつV,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上が0.03〜1.0原子%含まれる。この透明導電膜を製造するには、V,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上の酸化物を0.1〜3重量%含有し、アルミニウム酸化物を0.5〜6重量%含有する酸化亜鉛系焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング法を行い、基板上に、酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜する。
請求項(抜粋):
酸化亜鉛系の透明導電膜であり、Alが0.4〜4.5原子%含まれ、かつV,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上が0.03〜1.0原子%含まれる透明導電膜。
IPC (10件):
C23C 14/35 ,  C03C 4/14 ,  C04B 41/87 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/40 ,  H01L 31/04

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