特許
J-GLOBAL ID：200903066259353188
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032776
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245264
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、反応炉内の圧力が低く伝熱に輻射熱が支配的な場合に基板の面内温度分布を均一に保持して、均一な膜質の薄膜を成長させ得る気相成長装置を提供することにある。【構成】 反応炉2内に配設され基板8を支持するための基板ホルダー5と、この基板ホルダー5を加熱するヒータ7と、基板8表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉2内に供給する供給口3と、基板ホルダー5の周縁部で基板ホルダー5によって支持されると共に基板8の周縁部に接触して基板8を支持し、光学的に透明な部材から成る基板支持部材10とを備えたことを特徴とする気相成長装置である。
請求項（抜粋）：
反応炉内に配設され基板を支持するための基板ホルダーと、この基板ホルダーを加熱する加熱手段と、前記基板表面に薄膜を形成するためのガスを前記反応炉内に供給する供給手段と、前記基板ホルダーの周縁部で該基板ホルダーによって支持されると共に前記基板の周縁部に接触して該基板を支持し、光学的に透明な部材から成る基板支持部材とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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