特許
J-GLOBAL ID：200903066264083792
半導体光デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199861
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027948
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】小さな変調電流で偏波スイッチング可能な偏波変調レーザ、電流制御で偏波無依存性を向上できる光増幅器等の半導体光デバイスである。【解決手段】半導体レーザ構造において、活性層3が、基板2より小さい格子定数の半導体を井戸層とする量子井戸構造と基板2の格子定数に等しいか或は大きい格子定数の半導体を井戸層とする量子井戸構造の積層構造である。独立に電流注入が可能な複数の領域が構成されており、1つの領域内に、部分的に電流注入が制限されて損失が生ずる損失部が形成されている。複数領域に電流注入することで、TE利得が優勢な領域とTM利得が優勢な領域が形成され、小さな変調電流でレーザ発振の偏波スイッチングを可能とする。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ構造を有する半導体光デバイスにおいて、活性層は、半導体基板より小さい格子定数の半導体を井戸層とする量子井戸構造と半導体基板の格子定数に等しいか或は大きい格子定数の半導体を井戸層とする量子井戸構造の積層構造であり、共振器方向は独立に電流注入が可能な複数の領域で構成されており、かつ、前記複数の領域の1つの領域内に部分的に電流注入が制限されて損失が生ずる損失部が設けられていることを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
