半導体基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238536
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082526
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】塑性変形が少なく、かつ、持続力の長いEG効果を有する半導体基板を提供する。【構成】p型シリコン基板5の裏面には、断面形状が正方形の凹部が選択的に形成され、凹部には多結晶シリコン4が埋め込こまれており、裏面はこれによるEGを予め有している。さらに、半導体回路素子の作成過程において、p型シリコン基板5に対する裏面燐拡散が行なわれ、裏面に結晶欠陥10が発生し、これによる新たなEGが導入される。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶による半導体基板において、選択的に形成されて多結晶シリコンが埋め込まれた凹部を有する第1の主面と前記第1の主面に対峙する鏡面状の第2の主面とを有することを特徴とする半導体基板。

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