特許

J-GLOBAL ID：200903066270873096

半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法

発明者： 今村 啓志
出願人/特許権者： カンケンテクノ株式会社
代理人 (1件)： 森 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-211036
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 安全で効率がよく、しかも低コストで半導体製造排ガスを除害できる火炎分解式除害装置と除害方法を提供する。【解決手段】炭化水素系燃料を理論空気量に近い混合組成下で燃焼させて遊離酸素量の殆ど無い燃焼ガスとなし、燃焼によって得られた熱エネルギー保有ガス中に半導体製造排ガスを導入し、次いで別のセクションにて過剰空気を供給して酸化反応を完結させる。

請求項（抜粋）：

炭化水素系燃料を燃焼バーナーで燃焼させる燃料燃焼炉と、該燃料燃焼炉で生じた熱エネルギー保有ガスと半導体製造排ガスを導入して熱分解させる熱分解炉と、該熱分解炉で生じた熱分解排ガスと外部空気を導入して酸化反応を完結させる酸化炉を備えていることを特徴とする半導体製造排ガスの除害装置。

IPC (5件)：

F23G 5/027 ZAB ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/46 ,  F23G 5/16 ZAB ,  F23G 7/06 ZAB

FI (5件)：

F23G 5/027 ZAB Z ,  F23G 5/16 ZAB E ,  F23G 7/06 ZAB D ,  B01D 53/34 ZAB Z ,  B01D 53/34 120 A