特許
J-GLOBAL ID：200903066271556400
シリコン系材料層の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142446
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 側壁保護膜の除去が十分に、且つ効率よく行うことが可能なシリコン系材料層の加工方法を提供する。【構成】 塩素系又は臭素系化学種と酸素系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、ゲート絶縁膜2上に形成されたポリサイド膜5に対してドライエッチングを行う。次に、酸素系ガスを用いたプラズマ処理を行い、レジスト・マスク7をアッシングするとともに、側壁保護膜8内部の炭素成分を除去し、さらに、側壁保護膜8を酸化して化学量論的に安定なSiO2 の組成に近づける。その後、上記変性した側壁保護膜8を希フッ酸溶液処理によって除去する。【効果】 側壁保護膜が十分に除去できるので、ダストが低減でき、次工程にて形成される膜のカバレッジも改善できる。したがって、本発明を適用して半導体装置を製造すると、信頼性および歩留まりの向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
有機膜パターンをマスクとしてシリコン系材料層のドライエッチングを行う工程と、酸素系ガスを用いたプラズマ処理を行い、前記有機膜マスクを除去すると共に前記エッチング中に形成された側壁保護膜を変性させる工程と、変性された前記側壁保護膜を除去する工程とを有することを特徴とするシリコン系材料層の加工方法。
FI (3件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 F
, H01L 21/302 H
