特許

J-GLOBAL ID：200903066271608787

光電変換素子、それを用いた固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 田邊 顕人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164849
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 光電変換素子の蓄積電荷量を増大する。【解決手段】 n型シリコン基板101にボロンを注入してp型領域102を形成し(a)、レジスト膜121をマスクにボロンを注入してp+ チャネルストッパ105を形成する(b)。レジスト膜122をマスクにリンを高濃度に打ち込んで光電変換領域にn+ 領域112を形成する(c)。レジスト膜122の開口より狭い開口を有するレジスト膜123を形成し、これをマスクとしてボロンを打ち込んで光電変換領域にn型領域103を形成する(d)。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域内に、第1導電型の光電変換領域と、電荷転送領域と、前記光電変換領域に蓄積された信号電荷を前記電荷転送領域に読み出すための電荷読み出し領域とが形成され、これらの領域が第2導電型の素子分離領域より分離されている固体撮像素子において、前記光電変換領域の前記素子分離領域と接する部分の少なくとも一部は、最小設計寸法以下の膜厚で他の光電変換領域部分より不純物濃度が高い領域になされていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F

Fターム (11件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118GB11