特許
J-GLOBAL ID：200903066272885725
イオン処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016922
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203787
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 低エネルギーの電子を基板に供給できるようにし、それによってイオンビーム照射に伴う基板の帯電を効果的に抑制することができるようにしたイオン処理装置を提供する。【構成】 内部にプラズマ44が作られるプラズマ生成容器30であってその下面に小孔32を有するものを、ファラデーカップ8のディスク回転方向側の外側に、しかもその小孔32がディスク4上の基板6に近くで対向するように取り付けた。
請求項（抜粋）：
真空容器内で少なくとも回転させられるディスクであってその周縁部に複数枚の基板を装着可能なものと、このディスクの上流側に設けられていて二次電子のアースへの逃げを防止するファラデーカップとを備え、このファラデーカップ内を通してイオンビームをディスク上の基板に照射して各基板を処理するイオン処理装置において、内部にプラズマが作られるプラズマ生成容器であって小孔を有するものを、前記ファラデーカップのディスク回転方向側の外側の近くに、しかもその小孔がディスク上の基板に近くで対向するように設けたことを特徴とするイオン処理装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
