特許
J-GLOBAL ID：200903066281297100

アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路

発明者：
鄭 現鍾

鄭 現鍾 について

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鄭 蘭珠

鄭 蘭珠 について

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徐 順愛

徐 順愛 について

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金 東徹

金 東徹 について

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李 章元

李 章元 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135976
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311643
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路を提供する。【解決手段】ソース領域、ドレイン領域及びその間のチャンネル領域を備え、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域が一体型で形成されたアンバイポーラ層と、チャンネル領域に形成されたゲート電極と、アンバイポーラ層からゲート電極を離隔させる絶縁層と、を備え、ソース領域からドレイン領域への第1方向と交差する第2方向において、ソース領域及びドレイン領域の幅がチャンネル領域の幅よりさらに広く形成される電界効果トランジスタである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ソース領域、ドレイン領域及びその間のチャンネル領域を備え、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記チャンネル領域が一体型で形成されたアンバイポーラ層と、 前記チャンネル領域に形成されたゲート電極と、 前記アンバイポーラ層から前記ゲート電極を離隔させる絶縁層と、を備え、 前記ソース領域から前記ドレイン領域への第1方向と交差する第2方向において、前記ソース領域及びドレイン領域の幅が前記チャンネル領域の幅よりも広いことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08
FI (9件)：
H01L29/78 622 ,  H01L27/04 A ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331E
Fターム (26件)：
5F038CA05 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F110BB04 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110EE28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG29 ,  5F110HM04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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