半導体ウエハの横方向分断のための方法及びオプトエレクトロニクス構成素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-528326
公開番号（公開出願番号）：特表2009-507364
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

本発明は、成長基板(2)と半導体層列(3)を含んでいる半導体ウエハの横方向切断のための方法に関している。この方法は成長基板(2)を設けるステップと、前記成長基板(2)において機能性半導体層(5)を含んだ半導体層列(3)をエピタキシャル成長させるステップと、マスキング領域(11)と非マスキング領域(12)の作成のために前記半導体層列(3)の部分領域にマスク層(10)を被着させるステップと、半導体ウエハ(1)におけるイオン打込み領域(13)作成のために非マスキング領域(12)を通してイオンを打ち込むステップと、前記イオン打込み領域(13)に沿って半導体ウエハ(1)を切断するステップとを有し、前記成長基板(2)又は少なくともその一部が半導体ウエハから分離されるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成長基板(2)と半導体層列(3)を含んでいる半導体ウエハの横方向切断のための方法において、成長基板(2)を準備するステップと、前記成長基板(2)において機能性半導体層(5)を含んだ半導体層列(3)をエピタキシャル成長させるステップと、マスキング領域(11)と非マスキング領域(12)の作成のために前記半導体層列(3)の部分領域にマスク層(10)を被着させるステップと、半導体ウエハ(1)におけるイオン打込み領域(13)作成のために非マスキング領域(12)を通してイオンを打ち込むステップと、前記イオン打込み領域(13)に沿って半導体ウエハ(1)を切断するステップとを有し、前記成長基板(2)または少なくともその一部が半導体ウエハから分離されるようにしたことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L21/02 B , H01L21/265 Q , H01L21/20 , H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041CA40 , 5F152LL05 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM16 , 5F152NN04 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN19 , 5F152NQ09

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