単結晶の育成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-119038
公開番号（公開出願番号）：特開平8-295594
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】高品位の単結晶を成長させる方法を提供すること。【構成】液相エピタキシャル法による単結晶膜の育成において、単結晶育成用るつぼの側面に部分的に熱を遮蔽する耐熱性断熱材を充填した構造の炉を使用する。

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル法による単結晶膜の育成において、単結晶育成用るつぼの側面に部分的に熱を遮蔽する耐熱性断熱材を充填した構造の炉を使用する単結晶育成方法。

IPC (3件)：

C30B 19/08 , C30B 29/28 , H01F 41/28

FI (3件)：

C30B 19/08 , C30B 29/28 , H01F 41/28

引用特許：

審査官引用 (10件)

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