特許

J-GLOBAL ID：200903066284896153

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 木村 忠司 ,  吉田 善一 ,  水口 信一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094846
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302693
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理することのできプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【構成】 真空排気系2と反応ガス導入口7を有する真空容器1と、真空容器の一部として設置された誘電体容器の石英ベルジャー8に、マイクロ波を輸送するための同軸導波管を、石英ベルジャー8の外周部分外側に外導体6および石英ベルジャー8の被処理基板4との対向部分外側に同軸導波管の中心導体5となるように一端を接続し、外導体内および中心導体内に磁界発生手段である永久磁石9及び11をそれぞれ設置する。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と反応ガス導入口を有する真空容器と、前記真空容器内に設置された被処理基板を保持する基板保持手段と、前記被処理基板と対向する位置に真空容器の一部として設置されたベルジャー状もしくは円柱状の誘電体容器と、前記誘電体容器の外周部の外側に設けられた同軸導波管の外導体と、前記外導体内の誘電体容器側に設置された磁界発生手段と、前記誘電体容器の被処理基板との対向部分の外側に設けられた同軸導波管の中心導体と、前記中心導体内の誘電体容器側に設置された磁界発生手段と、前記同軸導波管の誘電体容器にマイクロ波電力を供給する手段とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01P 5/08

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C