特許

J-GLOBAL ID：200903066285440099

赤外線センサおよびその製造方法

発明者： 西野 弘師 ,  村上 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196424
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041530
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 赤外線感応部にHg1-x Cdx Te系II-VI族半導体を用いた赤外線センサおよびその製造方法に関し、表面にn型層を配置した、結晶性の優れたHgCdTe系赤外線センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 CdZnTeまたはCdTeの表面を有する基板と、前記基板表面上に直接形成され、基板表面からの不純物拡散を防止するためのノンドープのCdTeまたはHg1-x Cdx Teの緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、赤外線に感応する組成とp型不純物としてのAs濃度とを有するp型Hg1-x CdxTe層と、前記p型Hg1-x Cdx Te層上に形成され、赤外線に感応する組成とn型不純物濃度とを有するn型Hg1-x Cdx Te層と、前記緩衝層と前記p型Hg1-x Cdx Te層との間に形成され、両者の中間のCd組成xを有するノンドープまたはn型のHg1-x Cdx Te中間層とを有する赤外線センサが提供される。

請求項（抜粋）：

CdZnTeまたはCdTeの表面を有する基板と、前記基板表面上に直接形成され、基板表面からの不純物拡散を防止するためのノンドープのCdTeまたはHg1-x Cdx Teの緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、赤外線に感応する組成とp型不純物としてのAs濃度とを有するp型Hg1-x Cdx Te層と、前記p型Hg1-x Cdx Te層上に形成され、赤外線に感応する組成とn型不純物濃度とを有するn型Hg1-x Cdx Te層と、前記緩衝層と前記p型Hg1-x Cdx Te層との間に形成され、両者の中間のCd組成xを有するノンドープまたはn型のHg1-x Cdx Te中間層とを有する赤外線センサ。