特許
J-GLOBAL ID：200903066292335187
半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024818
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【構成】 高純度の液状および/または固形珪素質原料と、半導体製造に有害なNa, Fe等の金属を含まない触媒を用いて合成されたフェノール樹脂と、硬化触媒とを硬化させ、硬化物を加熱焼成して炭化・珪化することにより、半導体製造に有害な金属含有量が1ppm 以下の高純度の半導体治具用β型炭化珪素粉末を製造する方法。【効果】 従来の炭化珪素粉末は、金属不純物の含有量が高いため、半導体治具の使用には適していなかったが、本発明の方法により、粉末の精製処理を行わずに、半導体治具に適した高純度のβ型炭化珪素粉末を直接製造することができる。
請求項（抜粋）：
下記(a) および(b) 成分:(a) 液状珪素化合物および/または加水分解性の珪素化合物より合成された珪素質固体、(b) 半導体製造に有害な原子を含まない触媒を用いて合成された、重合性または架橋性の有機化合物、からなる、炭素および珪素を含有し、少なくとも1成分が液状である原料混合物を、加熱および/または触媒もしくは架橋剤を用いて固化させ、得られた固形物を非酸化性雰囲気中で加熱焼成して炭化珪素粉末を得ることを特徴とする、半導体製造に有害な原子の含有量がそれぞれ1ppm 以下の半導体治具用β型炭化珪素粉末の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 31/36
, C04B 35/56 101
, H01L 21/68
