特許

J-GLOBAL ID：200903066298021796

半導体ウェーハの熱処理装置

発明者： 鶴田 捷二
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204602
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104269
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 ドナーキラー熱処理の信頼性を高め、ウェーハ面内の抵抗率分布、酸素析出特性を均一化することができる半導体ウェーハの熱処理装置を得る。【構成】 熱処理装置において、加熱ゾーン22および冷却ユニット22cをウェーハ搬送経路に沿って直列に配設する。カセットローダ21からウォーキングビーム27a〜27fに直接ウェーハを移載し、ウォーキングビーム27a〜27fによって加熱炉である石英チューブ28内を一定速度で搬送する。冷却用のトンネル内でもウォーキングビームにウェーハを搭載して一定速度で搬送し、カセットアンローダ23に排出する。加熱温度、搬送速度はトップ、ボトムから切り出したシリコンウェーハにより最適に制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを供給するウェーハ供給部と、半導体ウェーハが排出されるウェーハ排出部と、上記ウェーハ供給部からウェーハ排出部まで延びる搬送経路を有し、この搬送経路を介して半導体ウェーハを1枚ずつウェーハ供給部からウェーハ排出部に所定速度で搬送する搬送手段と、この搬送経路の途中に設けられ、搬送手段により搬送されている途中の半導体ウェーハを加熱する加熱手段と、上記搬送経路にあって加熱手段の下流側に設けられ、搬送中の半導体ウェーハを冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-093121
  
• 特開昭62-013034
  
• 特開昭61-154134