特許
J-GLOBAL ID：200903066298384317
半導体加速度センサ及びその自己診断試験方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316290
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148230
出願日： 1992年10月31日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 シリコンセンサチップの電位を外部設定する電極を設け、自己診断試験の際に、セルフテスト電極間の静電力がその電極面積に依存するようにして理論値に合致した出力を得る。【構成】 シリコンセンサチップ1の同一導電極性のn+ 拡散層14にコンタクトした電位補正電極15を設けて半導体加速度センサを形成する。そして、このセンサの自己診断試験の際は、電位補正電極15をチップ側セルフテスト電極6と逆の電位極性のストッパ側セルフテスト電極12と同電位に保持する。
請求項（抜粋）：
枠状の周縁部と、ほぼ中央に位置した錘部と、該錘部を支持した肉薄部とからなるシリコンセンサチップと、前記センサチップの上,下に位置し,前記錘部の変位を規制する上部ストッパ及び下部ストッパと、前記錘部の上面に拡散形成されたチップ側セルフテスト電極と、前記上部ストッパの下面に形成されたストッパ側セルフテスト電極と、前記肉薄部の上面に拡散形成されたピエゾ抵抗とを有する半導体加速度センサにおいて、前記シリコンセンサチップに拡散形成された同一導電型の高濃度層にコンタクトした電位補正電極を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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