特許
J-GLOBAL ID：200903066305060123
多結晶シリコン鋳塊の製造方法及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166747
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001308
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 結晶の成長方向が一定方向に揃っており、不純物が溶け込んでいない良質な多結晶シリコン鋳塊が得られる製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る多結晶シリコン鋳塊の製造方法は、ヒータ6による温度調節が可能な坩堝3にシリコン結晶質原材を収納し、ヒータ6でもってシリコン結晶質原材を加熱して融解させた後、坩堝3の上方に設置した冷却体10を下降動作させてシリコン融液4の液面に冷却体10の底面10aを接触させたうえ、冷却体10の底面10aに多結晶シリコンを晶出させながら冷却体10を上昇動作させることを特徴とする。本発明に係る多結晶シリコン鋳塊の製造装置7は、ヒータ6による温度調節が可能であり、昇降動作が可能な坩堝3と、坩堝3の上方に設置されて昇降動作が可能な冷却体10とを具備しており、坩堝3及び冷却体10のそれぞれは回転動作が可能なものであることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
ヒータによる温度調節が可能な坩堝にシリコン結晶質原材を収納し、ヒータでもってシリコン結晶質原材を加熱して融解させた後、坩堝の上方に設置した冷却体を下降動作させてシリコン融液の液面に冷却体の底面を接触させたうえ、冷却体の底面に多結晶シリコンを晶出させながら冷却体を上昇動作させることを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/02 E
, H01L 31/04 H
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072NN01
, 4G072NN02
, 4G072UU02
, 5F051CB04
, 5F051CB29
