特許
J-GLOBAL ID：200903066306463116
化合物半導体単結晶成長方法及びそれに用いる石英ボート
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-012389
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：
【要約】【目的】 種結晶から所定の断面積を有する単結晶部分までの初期の結晶成長を安定化させ多結晶や双晶などの結晶欠陥の発生を大巾に低減する化合物半導体単結晶成長方法を提供する。【構成】 水平ブリッジマン法や温度傾斜法に代表される横型ボート法による単結晶成長方法において、種結晶1の断面形状の高さが単結晶8の断面形状の高さと同等または1/2以上で、かつ幅が単結晶8の断面形状の幅と同等または1/2以上の寸法を有し、合わせて断面積比が1/2以上とすることによって、石英ボート2の種結晶1の設置部から高さ方向及び幅方向の広がり方が従来の石英ボートよりも小さくなり、種結晶1の高さ方向及び幅方向の成長が少なくて済むので、初期の結晶成長が安定な成長となる。
請求項（抜粋）：
水平ブリッジマン法や温度傾斜法などの横型ボート法による単結晶成長方法において、種結晶の断面形状の高さが単結晶の断面形状の高さと同等または1/2以上で、かつ幅が単結晶の断面形状の幅と同等または1/2以上の寸法を有し、合わせて断面積比が1/2以上であることを特徴とする化合物半導体単結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 11/14
, C30B 11/00
, C30B 29/40 501
, C30B 29/42
C30B 11/14
, C30B 11/00 C
, C30B 29/40 501 C
, C30B 29/42
