半導体実装方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022810
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223686
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、実装後絶縁性樹脂部にボイドの発生しない、接続信頼性の高いフリップチップ実装を得ることにある。【解決手段】基板ベーク工程(S101)では、半導体チップを配線基板上に実装する前に、予め配線基板がベーキングされてビルドアップ層の絶縁層を形成する感光性エポキシの未硬化部分を硬化・揮発させる。次工程(S102)では、配線基板の半導体チップの搭載される位置に熱硬化性の絶縁性樹脂が供給される。そして、マウント工程(S104)において、半導体チップと前記配線基板を位置合わせし、半導体チップを前記配線基板に加圧し、半導体チップの電極と配線基板の電極を接触させ、加圧した状態で絶縁性樹脂を硬化させる。

請求項（抜粋）：

半導体チップを配線基板上に実装する方法において、半導体チップを配線基板上に実装する前に、予め配線基板をベーキングする第1の工程と、前記配線基板の前記半導体チップの搭載される位置に熱硬化性の絶縁性樹脂を供給する第2の工程と、前記半導体チップと前記配線基板を位置合わせし、前記半導体チップを前記配線基板に加圧し、前記半導体チップの電極と前記配線基板の電極を接触させ、加圧した状態で前記絶縁性樹脂を硬化させる第3の工程とを含むことを特徴とする半導体実装方法。

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