半導体圧力センサ装置およびこの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146732
公開番号（公開出願番号）：特開2000-337985
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】高い耐圧性能を管理容易に確保し、必要耐圧に対してマージンを好適に確保する。【解決手段】薄膜シリコン部111およびダイアフラム112などが形成された半導体シリコン基板11およびこれに接合された台座12を有し、この下面側に金属薄膜13が蒸着され、半導体シリコン基板11の両側面に段差115が形成されて成る半導体圧力センサチップ1と、台座12の下面側に接合されるフランジ部21、この下面から立設されるパイプ22、およびフランジ部21の上面から半導体圧力センサチップ1の両側面に沿って立設される止め具23を一体に形成して成るパッケージ2とを備え、止め具23の先端に段差115に係合する係合部231を形成した。段差115は、例えばウエハの状態で、各スクライブレーンの位置に対して、写真食刻法によるレジストマスクを介し薬液による化学エッチングを実行して彫込みを形成することにより形成可能である。

請求項（抜粋）：

数〜数十μm程度の厚みの薄膜シリコン部を一の面側に残して所定の深さのダイアフラムを他の面側に形成して成る半導体シリコン基板、およびこの半導体シリコン基板の他の面側に一の面が接合される台座を有し、前記薄膜シリコン部にピエゾ抵抗が形成され、前記薄膜シリコン部の一の面側に電極が形成され、前記台座の他の面側に金属薄膜が蒸着され、そして前記半導体シリコン基板の両側面の他の面側にそれぞれ凸部が形成されて構成される半導体圧力センサチップと、前記金属薄膜を介して前記台座の他の面側に一の面が接合されるフランジ部、このフランジ部の他の面から立設されるパイプ、および前記フランジ部の一の面から前記半導体圧力センサチップの両測面の各々に沿って立設されるガイドを一体に形成して成るパッケージとを備え、前記ガイドの先端には前記半導体シリコン基板の側面に形成された凸部に係合する凸状の係合部が形成されている半導体圧力センサ装置。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/06 102 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/06 102 , H01L 29/84 B

Fターム (23件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF49 , 2F055GG01 , 2F055GG12 , 2F055GG14 , 2F055GG25 , 2F055HH03 , 2F055HH05 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA15 , 4M112CA16 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA12 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112GA01

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