特許

J-GLOBAL ID：200903066321262950

光活性を有する半導体基板金属膜研磨用組成物

発明者： 横田 昌久 ,  高橋 秀明
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186640
公開番号（公開出願番号）：特開2002-003825
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、金属膜を高速に研磨し、かつ金属膜/絶縁膜の研磨選択性および段差平坦性に優れ、スクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 金属研磨用組成物として、酸化チタンを含む研磨材を主成分とし、これに鉄(III)化合物および/またはバナジウム(III〜V)化合物を研磨促進剤および必要に応じて低結晶性微細セルロースを用い、使用するに当り活性光線を照射する。

請求項（抜粋）：

(A)光触媒性能を有する酸化チタン、および光触媒性能を有する酸化チタンとアルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、およびジルコニアから選ばれた少なくとも一種との複合材料、よりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる研磨材、および(B)鉄(III)化合物および/またはバナジウム(III〜V)化合物を含む半導体基板金属膜研磨用組成物。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/306 M

Fターム (13件)：

3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA22 ,  5F043AA28 ,  5F043BB15 ,  5F043BB19 ,  5F043DD16 ,  5F043GG02