特許
J-GLOBAL ID：200903066328038648
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261227
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102525
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な構成により確実に輻射ノイズの発生を防止することができる半導体集積回路装置を提供する。【構成】 電源供給用の配線抵抗の抵抗値が無視できる程度の規模に分割されてなる複数の回路ブロックに、対応する回路における総合の負荷容量値に比べて十分大きな容量値にされた内蔵の容量手段をそれぞれ設け、上記電源供給用外部端子間に上記複数の回路ブロックに設けられた全ての容量手段の合成容量値に比べて十分大きな容量値にされた容量手段を設ける。【効果】 各回路ブロックでの負荷を駆動する電流の大半は、それに隣接して設けられた内蔵の容量手段により供給され、かかる内蔵の容量手段への電荷の補充が外部端子に設けられた容量手段により平均化されて行われるから、かかる半導体集積回路装置が搭載された実装基板の電源配線に高周波電流が実質的に流れなくなり、輻射ノイズの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
電源供給用の配線抵抗の抵抗値が無視できる程度の規模に分割されてなり、MISFETを主体にして構成された複数の回路ブロックと、かかる回路ブロック毎に設けられ、対応する回路における総合の負荷容量値に比べて十分大きな容量値にされた内蔵の容量手段と、上記電源供給用外部端子間に設けられ、上記複数の回路ブロックに設けられた全ての容量手段の合成容量値に比べて十分大きな容量値にされた容量手段とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 27/04 C
, H01L 27/08 321 Z
