透過電子顕微鏡用試料およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森本義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023075
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221227
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】容易にかつ短時間でしかも断面観察箇所へのダメージの少ない状態で薄片化が可能な、透過電子顕微鏡用試料およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に形成された半導体デバイスパターン2内に透過電子顕微鏡による断面観察箇所3がある。この断面観察箇所3を中心として、断面観察箇所3の周辺部に左右対称に階段式形状となる切り込みをダイシングソー装置を用いた加工により形成しつつ、断面観察用試料を切り出す。その後、Arをイオン種とした低角度のイオンビーム照射により、断面観察箇所3の極周辺部をスパッタエッチングして薄片化させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に半導体デバイスパターンが形成されるとともに、透過電子顕微鏡によって観察される断面観察箇所が前記半導体デバイスパターン内に設けられた透過電子顕微鏡用試料であって、前記断面観察箇所の周辺に、試料表面に対し傾斜した階段式形状の傾斜部が形成されていることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料。

IPC (3件)：

G01N 1/28 , G01N 1/32 , H01J 37/20

FI (3件)：

G01N 1/28 G , G01N 1/32 B , H01J 37/20 A

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