半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326050
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】半導体装置におけるコンタクトホ-ルの占有面積を低減させる半導体装置及びその製造方法を提供することである。【構成】半導体基板10に設けられた半導体領域11上に酸化膜12が形成され、酸化膜12上に下地の酸化膜12が露出するような開口部分20を有する多結晶シリコン層13が形成され、その表面に酸化膜15及び絶縁膜16が形成される。半導体領域11と多結晶シリコン層13とは一つのコンタクトホ-ル17によりAl配線層18に電気的に導通する。但し、コンタクトホ-ル17は多結晶シリコン層13に設けられた開口部分20により自己整合的に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた所望の半導体領域と、上記半導体領域上に第一絶縁膜を介して設けれた第一導体層と、上記第一導体層上に第二絶縁膜を介して設けれた第二導体層とからなり、上記第二絶縁膜及び上記第一導体層及び上記半導体領域を貫通し、かつ上記半導体領域が露出されたコンタクトホ-ルを具備し、上記コンタクトホ-ルが上記第二導体層に被覆され、上記半導体領域及び上記第一導体層とは上記第二導体層と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-040935
特開昭62-261156
特開平2-040935

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