特許

J-GLOBAL ID：200903066337738881

酸化インジウム・酸化錫焼結体

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-147862
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング中の異常放電の発生及びノジュールの生成が少なく、特性の優れたITO膜を効率良く成膜することが可能な、スパッタリング用ターゲットの酸化インジウム・酸化錫焼結体を提供する。【解決手段】 インジウム、錫及び酸素を主成分とし、In2O3相及びIn2O3相中に錫元素が固溶された相の平均結晶粒径が2〜10μmの範囲内にあり、内部に存在する最大空孔径が3μm以下で、錫原子の最大凝集径が5μm以下である酸化インジウム・酸化錫焼結体。

請求項（抜粋）：

インジウム、錫及び酸素を主成分とする酸化インジウム・酸化錫焼結体において、In2O3相及びIn2O3相中に錫元素が固溶された相の平均結晶粒径が2〜10μmの範囲内にあり、且つ焼結体内部に存在する最大空孔径が3μm以下であって、錫原子の最大凝集径が5μm以下であることを特徴とする酸化インジウム・酸化錫焼結体。