特許

J-GLOBAL ID：200903066340827151

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 渡邉 桂 ,  西山 幸男 ,  梶 成彦 ,  野口 卓裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181340
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015497
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ気相成長法により半導体基板上に弗素添加酸化珪素膜を成膜する工程中において、成膜される半導体基板が載置された反応容器内部をプラズマの経時変化を抑制するように構成された半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により形成する場合において、セラミックドーム部1とメタルチャンバ部2から構成された反応容器内部の少なくともセラミックドーム部内壁に弗化物からなる弗素耐性膜15を形成する。このような構成によりプラズマの経時変化を抑制することが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー表面に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により堆積させる半導体製造装置において、内壁が弗素耐性膜で被覆された反応容器を有するプラズマ発生装置と前記反応容器内に収納された半導体ウエハーを搭載し支持する支持手段とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/441 ,  C01B 9/08

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/441 ,  C01B 9/08

Fターム (40件)：

4K030AA04 ,  4K030AA07 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA24 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030KA09 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104EE14 ,  4M104HH20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045EC05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01