特許

J-GLOBAL ID：200903066342295190

ULSIメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法

発明者： 冉 景涵 ,  葉 鳳生 ,  王 紀▲文▼
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052548
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261098
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 低コストで簡単であり、大きなアスペクト比をもつビアを有する基板に適し、反応副産物により発生する問題を防止できるULSIメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法を提供する。【解決手段】 基板に拡散バリア層を形成する。拡散バリア層に置換層を形成し、置換反応物を含む混合液中で置換層の一部を薄い銅膜と置換する。混合液には活性化銅イオンとシリコンの酸化を抑制する物質とが含まれている。置換層はポリシリコン層、非結晶シリコン層またはTaSix層で形成する。拡散バリア層はTiN層、Ta層、TaN層またはTaSix層で形成する。基板は複数のビアとトレンチを有する。混合液はCuSO4・5H2OとHFとを含む。薄い銅膜上に、銅層をめっきする。置換を行う混合液にはエッチャントが含まれているため、反応の副生成物の形成は防止されている。

請求項（抜粋）：

基板を準備する工程と、前記基板に拡散バリア層を形成する工程と、前記拡散バリア層に置換層を形成する工程と、置換反応物を含む混合液中で前記置換層の少なくとも一部を薄い銅膜と置換する工程とを含み、前記混合液は活性化銅イオンを供給する化学物質とシリコンの酸化を抑制する少なくとも一つの化学物質とを含むことを特徴とするULSIメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/38 ,  C23C 18/54 ,  C23C 28/02 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

C23C 18/16 A ,  C23C 18/38 ,  C23C 18/54 ,  C23C 28/02 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 A

Fターム (61件)：

4K022AA13 ,  4K022AA43 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022CA07 ,  4K022CA08 ,  4K022DA04 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG19 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP36 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033VV10 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX34