特許
J-GLOBAL ID：200903066350476217
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295848
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザのようなへき開を行う必要のある半導体装置の製造工程において、ウエハサイズを大きくしてもプロセス中にウエハ割れが生じず、かつ、へき開に支障をきたさないウエハプロセスを提供し、半導体装置の量産性を向上させる。【構成】 ウエハ100上を半導体レーザとなる領域12とそれ以外の周囲領域11の2つに分け、ウエハ100の表面をガラス板8に貼りつけ、ウエハ厚を100μm程度に研削又は研磨した後、ウエハ100裏面の半導体レーザとなる領域以外の領域11にメッキを形成する。
請求項（抜粋）：
ウエハ裏面を、ウエハが所定の厚さになるまで研削又は研磨する工程と、その後、該ウエハから半導体デバイスが形成される領域を割り出し、へき開により高精度な平面を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、上記ウエハ裏面を研削又は研磨する工程の後、該ウエハ裏面の上記半導体装置が形成される領域以外の周囲領域に、メッキを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 301
, H01L 21/78
, H01S 3/18
