特許

J-GLOBAL ID：200903066356521982

錫メッキ

発明者： ヨッケン・ヒーバー ,  アンドレ・エグリ ,  マイケル・ピー・トーベン ,  フェリックス・シュワージャー
出願人/特許権者： シップレーカンパニー エル エル シー
代理人 (1件)： 千田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071336
公開番号（公開出願番号）：特開2003-049293
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】薄い金属アンダーコートの使用により、錫フィルム中のホイスカ形成を減少させる方法を開示する。さらに、実質的にホイスカの形成が減少された錫フィルムを有する構造物を開示する。【解決手段】ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下層を基体の上に堆積させる行程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積させる行程を含む、基体の上に錫または錫合金を堆積させる方法であって、該金属下層が1ミクロン以下の厚さを有する方法。

請求項（抜粋）：

ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下層を最初に堆積させる工程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積させる工程を含む、ホイスカの形成を減少させる方法であって、該金属下層が1ミクロン以下の厚さを有する方法。

IPC (3件)：

C25D 5/12 ,  C25D 7/00 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

C25D 5/12 ,  C25D 7/00 G ,  C25D 7/00 Y ,  H01L 23/50 D

Fターム (11件)：

4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA14 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024GA16 ,  5F067DC16 ,  5F067DC18 ,  5F067DC20