特許

J-GLOBAL ID：200903066359378498

光半導体装置及びその製造方法、光記録装置

発明者： 田嶋 尚之 ,  君島 進
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276765
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】発光素子からの前方出射光の損失を回避することができるとともに、製造工程を簡易化することができる光半導体装置を提供すること。【解決手段】互いの表面同士を対向させて配置されたシリコン基板30とシリコン基板40と、シリコン基板40に設けられ、シリコン基板30,40の端部側へ前方出射光L1を出射するレーザダイオード45とを備え、シリコン基板40には、その端部側から入射した外部からの反射光L3をシリコン基板30側へ反射させるマイクロミラー41,42が設けられ、シリコン基板30には、マイクロミラー41,42で反射した反射光L3を受光する信号検出用フォトダイオード31,32が設けられている。

請求項（抜粋）：

互いの表面同士を対向させて配置された第1の基板と第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方に設けられ、各基板の端部側へ出射光を出射する発光素子とを具備し、前記第1の基板には、その端部側から入射した外部からの入射光を前記第2基板側へ反射させる第1ミラー面が設けられ、前記第2の基板には、前記第1ミラー面で反射した前記入射光を受光する信号検出用受光素子が設けられていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

G11B 7/135 ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/022

FI (3件)：

G11B 7/135 Z ,  G11B 7/22 ,  H01S 3/18 612

Fターム (12件)：

5D119AA43 ,  5D119CA10 ,  5D119FA06 ,  5D119FA17 ,  5D119FA25 ,  5D119JA23 ,  5D119KA13 ,  5F073BA06 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA30