特許

J-GLOBAL ID：200903066360219190

面発光型半導体レーザ素子

発明者： 植田 菜摘
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-189346
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031863
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】レーザ素子の信頼性に影響を与える歪や、レーザ光の散乱損失が抑制され、且つ寄生容量が小さい酸化狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】上部DBRを構成する多層膜のうち、多重量子井戸活性層に最も近い層は、p-Al0.9Ga0.1As膜に代えて、p-Al0.95Ga0.05As層の一部領域を選択的に酸化した、膜厚40nmの第1の電流狭窄層25、p-AlAs層の一部領域を選択的に酸化した、膜厚20nmの第2の電流狭窄層26、及びp-Al0.95Ga0.05As層の一部領域を選択的に酸化した、膜厚40nmの第3の電流狭窄層27が、順次に積層されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられ夫々が低屈折率層及び高屈折率層から成るペア層を複数形成した上部及び下部半導体多層膜反射鏡と、該半導体多層膜反射鏡の間に配設された活性層と、前記上部半導体多層膜反射鏡中に設けられた、Alを含む半導体層の一部領域を選択的に酸化してなる電流狭窄層とを有し、電流注入により前記基板と垂直にレーザ光を放射する面発光型半導体レーザ素子において、 前記Alを含む半導体層は、膜厚方向の中央部でAl組成が最も高いことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/183 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343

FI (3件)：

H01S5/183 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343

Fターム (9件)：

5F073AA07 ,  5F073AA65 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA27 ,  5F073EA14 ,  5F073EA15 ,  5F073EA23