特許
J-GLOBAL ID：200903066363472636
MIM型電気素子とその製造方法、及びこれを用いた情報転送装置、画像表示装置、描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243638
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 金属/絶縁体/金属のサンドイッチ構造を基本構成とするMIM型電気素子において、強電界がかかっても絶縁体の破壊が生じにくい素子を提供することにある。【構成】 上部電極104と下地電極102の間に絶縁体又は半導体から成るバリア層103を挟持し、かつ、該下地電極102が基板上に形成された貴金属結晶から成る電極基板であって、該貴金属結晶のドメイン境界がほぼ直線状に形成され、X線回折による面方位の分散角が1°以下の電極基板であることを特徴とするMIM型電気素子。
請求項（抜粋）：
上部電極と下地電極との間に絶縁体又は半導体からなるバリア層を挟持したMIM型電気素子であって、前記下地電極が基板上に形成された平板状結晶のファセットからなる貴金属結晶を含む電極基板であって、該ファセットの平板面方位が[111]であり、且つX線回折による面方位の分散角が1°以下である領域を含むことを特徴とするMIM型電気素子。
IPC (4件)：
H01L 49/02
, H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 31/15
