特許
J-GLOBAL ID:200903066363943221
イオンビームを用いたフォトマスク欠陥修正装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂上 正明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-357533
公開番号(公開出願番号):特開2003-156833
出願日: 2001年11月22日
公開日(公表日): 2003年05月30日
要約:
【要約】【課題】 1つの電荷中和用電子銃で、電荷中和の最適条件が異なる複数のパターンが混在した場合にも、全てのパターンに対して欠陥認識に十分な良好なイメージが得られるようにする。【解決手段】 電荷中和の最適条件が異なる複数のパターンに対して、時系列的に電荷中和用の電子ビームの電流密度や照射位置・範囲・強度をそれぞれのパターンの最適条件になるように変化させて欠陥を含んだ個所に照射する。
請求項(抜粋):
イオンビームを用いたフォトマスク欠陥修正装置において、電荷中和用の電子ビームの電流密度や照射位置・範囲・強度を時系列的に変化させて欠陥を含んだ個所に照射することで、電荷中和の条件が異なるパターンが混在した場合にも良好な欠陥認識を行えることを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
IPC (4件):
G03F 1/08
, H01J 37/30
, H01J 37/317
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 T
, H01J 37/30 A
, H01J 37/317 D
, H01L 21/30 502 P
Fターム (7件):
2H095BD35
, 5C034AA01
, 5C034AA02
, 5C034AB01
, 5C034AB02
, 5C034DD04
, 5C034DD07
引用特許:
前のページに戻る