特許
J-GLOBAL ID：200903066369337862
ディプレッション型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357795
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 U字型溝の側壁に沿って形成されるチャネル領域の溝深さ方向の濃度を均一にする。【解決手段】 U字型溝31を有するデプレッション型の縦型MOSFETの製造方法において、溝31の内周面をPSG膜37で被覆し、PSG膜37からのリンを熱拡散してベース領域22に溝31の側壁に沿ってN- 型チャネル領域24を形成する
請求項（抜粋）：
チャネル領域が半導体基板表面に形成した溝の側壁に沿って深さ方向にソース領域と同じ導電型に形成された縦型MOSFETからなるディプレッション型半導体装置の製造方法において、前記チャネル領域の形成工程が、前記溝の内周面を含む半導体基板表面へのソース領域と同じ導電型の不純物を含む膜の成長工程と、この膜からの不純物の熱拡散工程とを含むことを特徴とするディプレッション型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 658 A
