特許
J-GLOBAL ID：200903066371165823
耐インジウム半田パターン
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284711
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121862
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 インジウム半田を用いて電子部品の半田付け実装を行うプリント配線板の板面に形成される配線パターンに関し、インジウムによって溶食(浸食)されない耐インジウム半田パターンの提供を目的とする。【構成】 パッド部20と接続部30で構成される配線パターン50の側壁面を銅,金或いはニッケル等の金属よりも表面自由エネルギー値の大きい金属より成る保護膜8で覆ったことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
プリント配線板(1) の板面に形成される配線パターンであって、パッド部(20)と接続部(30)とで構成される配線パターン(50)の側壁面を銅,金或いはニッケル等の金属よりも表面自由エネルギー値の大きい金属より成る保護膜(8) で覆ったことを特徴とする耐インジウム半田パターン。
IPC (2件)：
引用特許：
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