特許
J-GLOBAL ID：200903066371342725
薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-009787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198449
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することから成る薄形インダクタ/トランスにおいて、絶縁基板に薄くても耐曲げ性に優れ、熱伝導率が高い基板を用いることにより、外力により容易に曲がらず、放熱性に優れ、インダクタンスの高い薄形インダクタ/トランス及びその製造方法を提供する。【構成】 絶縁基板として厚さ30〜1000μmのセラミック基板を用いる。これにより、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜それぞれをスクリーン印刷し、焼成する方法により作製可能である。【効果】 電流を多く流すことが可能となり、小形化できる。コイルまたは磁性膜が破損したり、磁性膜が曲げ応力を受け、インダクタンスが低下するのを防止できる。基板が薄くても容易に曲がらず、薄いと磁気抵抗が減るためインダクタンスの高いものが得られる。
請求項（抜粋）：
セラミック基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することから成る薄形インダクタ/トランス。
IPC (6件)：
H01F 37/00
, H01F 5/00
, H01F 17/00
, H01F 27/28
, H01F 31/00
, H01F 41/04
