特許
J-GLOBAL ID：200903066373452455
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330662
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193327
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】発振波長1.3 μm帯又は1.5 μm帯のIII-V族の半導体レーザ装置に関し、しきい電流の増加を抑制し、かつしきい電流の温度依存性を十分に小さくする。【構成】1.3 μm帯又は1.5 μm帯の発振波長を与える格子定数とした組成を有するInGaAsからなる活性層15と、活性層15を挟んで形成され、かつGaAsの格子定数に近い格子定数を与える組成とすることより活性層15に歪みを与える半導体層14,16とを有し、活性層15と半導体層14,16との間で価電子帯のバンド端不連続ΔEvに対する伝導帯のバンド端不連続ΔEcの比を大きくしたことを有する。
請求項（抜粋）：
所定の発振波長を与える格子定数とした組成を有するInGaAsからなる活性層と、前記活性層を挟んで形成され、かつGaAsの格子定数に近い格子定数を与える組成とすることより前記活性層に歪みを与える半導体層とを有し、前記活性層と前記半導体層との間で価電子帯のバンド端不連続ΔEvに対する伝導帯のバンド端不連続ΔEcの比を大きくしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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