特許

J-GLOBAL ID：200903066374464708

半導体チップ及びその製造方法

発明者： 亀山 悟
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159246
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311523
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】 複数のセルを有する半導体チップの良品率を向上する。【解決手段】 複数のセルを有する半導体チップであり、各セルに設けられたゲート電極と、前記半導体チップの表面に形成されている第1ゲートパッドと、前記半導体チップの表面に形成されている第2ゲートパッドと、各セルのゲート電極を第1ゲートパッドに電気的に接続している第1ゲート配線と、各セルのゲート電極を第2ゲートパッドに電気的に接続している第2ゲート配線を備えている。そして、前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線の一部を選択的に除去することによって、各セルのゲート電極を第1ゲートパッド又は第2ゲートパッドから選択的に絶縁可能なことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のセルを有する半導体チップであり、 各セルに設けられたゲート電極と、 前記半導体チップの表面に形成されている第1ゲートパッドと、 前記半導体チップの表面に形成されている第2ゲートパッドと、 各セルのゲート電極を第1ゲートパッドに電気的に接続している第1ゲート配線と、 各セルのゲート電極を第2ゲートパッドに電気的に接続している第2ゲート配線を備え、 前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線の一部を選択的に除去することによって、各セルのゲート電極を第1ゲートパッド又は第2ゲートパッドから選択的に絶縁可能なことを特徴とする半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 655G ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-288250   出願人：株式会社デンソー